STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB

-->

Средняя оценка

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 20.6

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

46 63

Около -37% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.2 1,447.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 5300

Около 4.83 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

63 46
Скорость чтения, Гб/сек

3,231.0 20.6
Скорость записи, Гб/сек

1,447.3 13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 25600

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

478 2973

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB

G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB

G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Kingston KP6FH5-MIE 32GB

Kingston KP6FH5-MIE 32GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB

Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB

Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB

Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB

модули RAM