RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
63
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.8
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2888
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link