RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
63
Около -186% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.2
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2648
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link