RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
63
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.7
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2935
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Mushkin 996902 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link