RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
63
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.4
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2966
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link