RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
63
Около -186% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.2
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
20.3
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
4116
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Inmos + 256MB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link