STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB

-->

Средняя оценка

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 19.3

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 63

Около -125% меньшая задержка
Выше скорость записи

16.5 1,447.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

63 28
Скорость чтения, Гб/сек

3,231.0 19.3
Скорость записи, Гб/сек

1,447.3 16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

478 3889

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB

Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB

Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB

Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB

Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB

Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB

Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB

модули RAM

Mushkin 994083 4GB

Mushkin 994083 4GB

Kingston KC5N22-MIE 16GB

Kingston KC5N22-MIE 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB

модули RAM