RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
63
Около -133% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3531
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link