STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB

-->

Средняя оценка

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 11.5

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 63

Около -110% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.8 1,447.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

63 30
Скорость чтения, Гб/сек

3,231.0 11.5
Скорость записи, Гб/сек

1,447.3 10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

478 2462

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB

Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB

SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB

Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB

Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

INTENSO 5641160 8GB

INTENSO 5641160 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB

модули RAM