RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
25.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
63
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость записи
19.5
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
25.2
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
19.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
4167
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link