RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
63
Около -163% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2821
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link