RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
63
Около -66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.4
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
9.4
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2110
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link