RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
63
Около -125% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2354
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link