RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
63
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
11.3
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2395
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link