RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
63
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.2
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2468
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link