RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
63
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
48
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2196
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link