RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
63
Около -125% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.1
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
12.0
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2347
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link