STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

-->

Средняя оценка

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Средняя оценка

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 16.8

Среднее значение в тестах

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

Причины выбрать
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 63

Около -110% меньшая задержка
Выше скорость записи

11.3 1,447.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

63 30
Скорость чтения, Гб/сек

3,231.0 16.8
Скорость записи, Гб/сек

1,447.3 11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

478 3119

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB

Kingston 99U5713-001.A00G 4GB

Kingston 99U5713-001.A00G 4GB

модули RAM

Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB

Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB

Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905701-132.A00G 16GB

Kingston 9905701-132.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Kingston 99U5713-003.A00G 4GB

Kingston 99U5713-003.A00G 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB

Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Kingston 9965596-019.B01G 4GB

Kingston 9965596-019.B01G 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB

Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB

модули RAM