RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
63
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2732
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link