RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
63
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.2
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3040
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link