RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
63
Около -163% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2196
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ME68FAF1600 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link