RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
63
Около -250% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.2
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
18
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
20.5
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3564
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link