RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
63
Около -232% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.8
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
19
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
19.5
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3435
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link