RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
63
Около -232% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.8
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
19
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
19.5
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3435
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link