RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
63
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
43
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2128
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link