RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
63
75
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.1
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
75
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
1763
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link