RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
63
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3198
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link