RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Сравнить
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB против A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
-->
Средняя оценка
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
31
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
16.8
Скорость записи, Гб/сек
7.2
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1990
3019
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Сравнения RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link