RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Сравнить
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB против Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
45
Около 31% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.2
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
45
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
13.2
Скорость записи, Гб/сек
7.2
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1990
2841
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Сравнения RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link