RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Сравнить
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB против G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
-->
Средняя оценка
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
68
Около -196% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,944.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,973.0
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,944.9
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
673
3125
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Сравнения RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link