Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB против Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

-->

Средняя оценка

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Средняя оценка

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Причины выбрать
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 15.4

Среднее значение в тестах

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 68

Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.7 1,944.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

68 34
Скорость чтения, Гб/сек

3,973.0 15.4
Скорость записи, Гб/сек

1,944.9 10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

673 2739

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB

InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB

Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB

модули RAM

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Kingston 9965589-035.D00G 16GB

Kingston 9965589-035.D00G 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB

Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB

модули RAM