RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
46
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
37
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3170
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link