RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.6
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
24
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2843
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link