RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.4
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2372
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link