RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
46
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.7
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
36
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2725
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link