RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
29
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
17.0
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3140
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link