RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3277
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link