RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
18.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
18.7
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2947
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link