RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
22.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.3
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
22.3
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3697
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link