RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
80
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
80
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
1775
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link