RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
80
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
80
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
1775
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link