RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
46
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.1
5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
36
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
9.1
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2090
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link