RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
46
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
37
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
10.4
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2213
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link