RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
46
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.4
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
27
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2356
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link