RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
64
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.8
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
64
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2065
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link