RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.8
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
24
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2509
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link