RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
24
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2969
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link