RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
19.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
46
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
37
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
19.5
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3355
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link