takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

-->

Средняя оценка

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Средняя оценка

Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

46 96

Около 52% меньшая задержка

Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

6.8 5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

4.2 1,852.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 96
Скорость чтения, Гб/сек

5,535.6 6.8
Скорость записи, Гб/сек

1,852.4 4.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

858 992

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CM2X2048-6400C5 2GB

Corsair CM2X2048-6400C5 2GB

Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB

Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB

Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Kingston 9905744-067.A00G 32GB

Kingston 9905744-067.A00G 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston KV0M5R-HYD 8GB

Kingston KV0M5R-HYD 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB

Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB

модули RAM

Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB

Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB

модули RAM

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6AFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6AFR8C-PB 4GB

Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB

Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB

модули RAM