RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.4
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
46
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2660
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link