RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
46
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.7
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
23
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2575
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link