Team Group Inc. Team-Value-800 2GB против Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

-->

Средняя оценка

Team Group Inc. Team-Value-800 2GB

Team Group Inc. Team-Value-800 2GB

Средняя оценка

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Team Group Inc. Team-Value-800 2GB

Причины выбрать
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

54 78

Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения

4 12.1

Среднее значение в тестах

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Причины выбрать
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

10.3 1,952.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Team Group Inc. Team-Value-800 2GB

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

54 78
Скорость чтения, Гб/сек

4,586.7 12.1
Скорость записи, Гб/сек

1,952.2 10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

704 2113

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

модули RAM

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

модули RAM

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB

модули RAM